RAM раз

Давайте разберемся с временами: какие они и для чего нужны, для этого немного углубимся в механизм работы ОЗУ. Ну а теперь поподробнее.

Чтобы понять времена — что они такое и для чего нужны, следует немного углубиться в механизм работы оперативной памяти. Упрощенная диаграмма выглядит так: ячейки RAM расположены по принципу двумерных массивов, к которым можно получить доступ, указав столбец и строку.

Ячейки памяти, по сути, представляют собой конденсаторы, которые можно заряжать или разряжать, таким образом записывая единицу или ноль (я думаю, всем давно известно, что любое компьютерное устройство работает с двоичным кодом).

При изменении напряжения с высокого на низкий передается импульс доступа к строке (RAS) или столбцу (CAS). Сигналы, синхронизированные с тактовым импульсом, сначала применяются к строке, а затем к столбцу. Когда информация записывается, предоставляется дополнительный импульс допуска (WE). Производительность памяти напрямую зависит от количества данных, передаваемых за такт.

При этом есть НО: данные передаются не мгновенно, а с определенной задержкой, которую еще называют латентностью. И мгновенно, как вы знаете, ничего не передается: даже фотоны света имеют конечную скорость. А как насчет электронов, пытающихся пробить слои кремния?

Время ОЗУ — это временные задержки, которые происходят, когда ЦП обращается к ОЗУ. Измерение задержек в тактах

Как узнать

Чтобы узнать тайминги памяти, установленной в системе, необязательно открывать системный блок или корпус ноутбука. Решить эту задачу можно, просто установив соответствующую программу. Из всего многообразия приложений можно отметить, что:

• CPU-Z — бесплатная утилита, которая может отображать подробную информацию о платформе компьютера и, в частности, об оперативной памяти .
• AIDA64 — предоставляет информацию о конфигурации компьютера и позволяет протестировать производительность отдельных подсистем. Программа платная, но имеет пробный период.
• SiSoftware Sandra — еще одна программа для получения информации о конфигурации компьютера, версия Lite бесплатна.

Возможностей этих приложений более чем достаточно, чтобы узнать время работы ОЗУ, а также много другой информации об установленном оборудовании».

Использование программ, пожалуй, единственный способ получить ответ на вопрос: как узнать время ОЗУ на ноутбуке, где модули припаяны к материнской плате или не маркированы, что очень распространено.

Кроме того, на многих материнских платах и ​​ноутбуках вы можете зайти в BIOS и найти, где посмотреть время ОЗУ. Навигация в BIOS, названия разделов и даже обозначения времени у разных производителей могут незначительно отличаться, если непонятно, где искать, нужно обратиться к документации.

Что означают эти непонятные цифры в оперативной памяти ПК? В конце концов, тайминг напрямую влияет на его производительность, но их значение отнюдь не громкость или скорость. Мы объясним вам понятным языком и объясним, какие параметры лучше. При выборе оперативной памяти ПК многие пользователи

Какие тайминги лучше выбирать

Допустим, вы покупаете для ноутбука комплект оперативной памяти из двух планок DDR. В этом случае времена будут одинаковыми для обоих модулей, что определяет их стабильную работу. Что касается стоимости, решающим фактором является первая цифра, обозначенная как CL-9. А значения 9-9-9-24 можно охарактеризовать как средние по скорости.

Вы также можете взять свою оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также необходимо соблюдать правило равного времени и не допускать, чтобы ни один из них, например, был почти на треть цикла впереди.

Если вы собираетесь установить на свой ПК более быструю память, обратите внимание, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрое время доступа data, но процессор и материнская плата не смогут ими воспользоваться. В то же время важно, чтобы на материнской плате была возможность вручную устанавливать время для ОЗУ.

RAM тайминги

Тайминг, оперативная память и производительность ПК

Компьютерная терминология иногда поражает своей сложностью. По этой причине пользователь и конечный покупатель одновременно сталкиваются с некоторыми проблемами выбора при покупке компьютера или обновлении его конфигурации. Одна из важных особенностей ПК — это так называемый тайминг. Оперативная память характеризуется как частотным параметром, с которым она работает, так и величиной задержек при доступе к другим модулям компьютера.

Прежде чем перейти к ответу на вопрос, что такое тайминги, давайте опишем основной принцип работы RAM: оперативная память.

Оперативная память (RAM, RAM) — один из важнейших компонентов любого компьютера. Временно хранит данные, необходимые для работы процессора. В этом случае информация передается напрямую из блока памяти в ядро ​​или через специальную сверхбыструю память. Проще говоря, ОЗУ — это некий микрочип, в котором хранятся данные всех программ, запущенных пользователем. Но вы не можете хранить все это на жестком диске, потому что это тоже память? К сожалению нет. Все дело в скорости и надежности. Жесткий диск — это механическое устройство с низкой скоростью работы (относительно потребностей процессора) и ограниченным ресурсом. Оперативная память лишена этих недостатков, она быстрая и ее ресурс не зависит от количества обращений.

Есть два типа памяти:

Не вдаваясь в специфику технической реализации памяти SRAM, можно сказать, что такие полоски отличает высокая скорость работы. Задержки и передача данных в блоке RAM происходит мгновенно. Но, к сожалению, такая реализация стоит дорого. Кроме того, объем модуля памяти ограничен относительно большими размерами транзисторов. Модули SRAM используются в качестве сверхбыстрой кэш-памяти для процессоров, жестких дисков и других модулей ПК.

Оперативная память динамического типа — это обычные прямоугольные полоски на материнской плате. Такая память относительно дешевая и большая. Но у его блоков есть свои недостатки:

• Так как полоска содержит конденсаторы, необходимо регулярно «регенерировать» в них заряд, чтобы данные не пропадали. Эту задачу выполняет центральный процессор. Но во время такого обращения к памяти все операции с ней приостанавливаются.
• Скорость работы такой планки намного ниже, чем у статической.
• Правильный выбор времени также играет важную роль. ОЗУ с большими объемами и высокой частотой не всегда сможет показать требуемую производительность из-за больших задержек.

На данный момент существует всего 4 типа модулей памяти:

• DDR — это устаревший тип оперативной памяти, который используется в очень старых компьютерах.
• DDR2 — аналогичные блоки оперативной памяти все еще можно найти на старых ПК в государственных учреждениях и образовательных учреждениях. Скорость работы такой памяти не позволяет справиться с высоконагруженными современными приложениями, но ее вполне достаточно для работы с текстовыми редакторами и для серфинга в Интернете.
• DDR3 — самый распространенный модуль памяти. Энергопотребление на 40% ниже, чем у предыдущего типа, а скорость такой памяти намного выше.
• DDR4 — это эволюционное развитие оперативной памяти. Такие модули способны полностью удовлетворить все потребности современного пользователя. В оптимальной конфигурации блок может обеспечить пропускную способность 34,1 ГБ / с.

Теперь мы знаем, что такое оперативная память. Что ж, сколько времени? Это задержка между отправкой и выполнением команды шины памяти, измеряемая в тактах.

DRAM состоит из ячеек, объединенных в двумерные массивы. Структура похожа на решетку, в которой расположены ячейки. Для доступа к узлам контроллер должен знать их адрес, который состоит из номера строки и столбца (координат). Отдельные массивы с одинаковым размером ячеек объединяются в так называемые банки.

Следовательно, контроллер сначала обращается к банку с адресом линии через сигнал RAS. Затем выполняется поиск запрошенной строки: это временной цикл задержки от RAS до CAS. Затем контроллер отправляет номер столбца с помощью сигнала CAS. Ожидание ответа на такой запрос называется задержкой CAS. Время, называемое RAS Precharge, указывает время, которое проходит между командами закрытия и повторной активации линии, от Active до Precharge Delay — между командами активации и закрытия. Командная скорость — это минимальный интервал между двумя командами.

При покупке новой планки ОЗУ можно очень легко определить сроки. ОЗУ маркируется стандартным шаблоном: DDR3 (частота) CAS Latency — RAS to CAS DELAY — RAS Precharge — Cycle Time, что на самом деле выглядит как DDR3 2133 9-12-12-28.

В первую очередь нужно обратить внимание на сроки. Высокочастотная ОЗУ может быть медленной, потому что доступ к процессору намного медленнее, и поэтому это преимущество не будет реализовано. При этом задержки всегда остаются на стандартном уровне, если, конечно, вручную не задавать время ОЗУ.

Так, например, DDR2 1600 6-7-6-18 намного быстрее, чем DDR3 1866 9-9-9-24. Как видите, во втором случае у нас более продвинутое поколение ОЗУ с более высокой частотой, но слишком большие задержки просто нейтрализуют этот факт. При покупке новой оперативной памяти старайтесь выбирать модель с минимально возможной задержкой. Таким образом вы обеспечите высокую производительность компьютера в целом.

Доброго времени суток дорогие друзья. Артём с тобой.

Какое время ОЗУ? Об этом и поговорим сегодня.

PS Увидеть разгон оперативной памяти можно здесь.

Времена, как и другая полезная информация, отмечены на корпусе планки RAM.

Время состоит из группы цифр.

На одних барах тайминги указаны полностью, на других — только задержка CL.

Время указано полностью

Указывается только CL, в данном случае CL9

Вы узнаете, каков тайминг CL, в ходе статьи.

В этом случае вы можете найти полный список времен на сайте производителя кронштейна по номеру модели.

Любая DDR RAM (1,2,3,4) имеет те же принципы работы.

Память имеет определенную частоту работы в МГц и временах.

Чем меньше время, тем быстрее процессор сможет получить доступ к ячейкам памяти на микросхемах.

В результате меньше задержек при чтении и записи информации в ОЗУ.

Самый популярный тип памяти — DDR SDRAM, обладающий рядом функций.

Он (память) взаимодействует с контроллером памяти на половине частоты, указанной на маркировке паспортной таблички RAM.

Например, DDR3, работающая на частоте 1866 МГц, в диагностических программах, таких как CPU-Z, будет отображаться как 933 МГц.

Эффективная частота RAM

Так что в случае с полосой ОЗУ указана реальная частота памяти, а на самом деле рабочая частота в два раза ниже.

Линии адреса, данных и управления передаются по одной шине в обоих направлениях, что позволяет нам говорить о реальной частоте ОЗУ.

Данные передаются с 2 битами на синхроимпульс, как на фронте, так и на спаде тактового импульса, что удваивает эффективную частоту памяти.

PS Частота ОЗУ — это сумма множителя (множителя), умноженного на частоту системной шины.

Например, частота системной шины процессора составляет 200 МГц (независимо от Pentium 4) и множитель = 2, результирующая частота памяти будет 400 МГц (эффективная частота 800 МГц).

Это означает, что для разгона ОЗУ нужно разогнать процессор по шине (или выбрать нужный множитель памяти).

Для новых платформ (LGA 1151 и так далее) все немного проще, доступен расширенный список множителей.

PS Все манипуляции с частотами, временами и напряжениями производятся в BIOS (UEFI) материнской платы.

Модули памяти, работающие с одинаковой частотой, но с разным временем, могут иметь разные конечные скорости.

Время указывает количество тактовых импульсов для микросхемы памяти для выполнения определенной операции. Например, поиск определенной ячейки и запись в нее информации.

Эта же тактовая частота определяет, с какой скоростью в мегабайтах в секунду будут выполняться операции чтения / записи, когда чип будет готов выполнить команду.

Время указано цифрами, например 10-11-10-30.

DDR3 1866 МГц 9-9-9-10-28 будет быстрее, чем DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Если мы пройдемся по базовой структуре ячейки памяти, мы получим такую ​​структуру таблицы.

Структура RAM

То есть структура строк и столбцов, по количеству которых можно ссылаться на определенный байт памяти для чтения или записи данных.

Что именно означают цифры времени?

Давайте посмотрим на пример выше DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Одна из самых важных задержек (раз). От этого во многом будет зависеть скорость оперативной памяти.

Чем меньше первая цифра времени, тем быстрее.

CL указывает количество тактов, необходимых для вывода запрошенных данных.

На изображении ниже вы можете увидеть пример с CL = 3 и CL = 5.

Что такое время задержки CAS (CL)

В результате память с CL = 3 предоставляет запрошенные данные на 40% быстрее. Вы также можете рассчитать задержку в нс (наносекунда = 0,000000001 с).

Чтобы рассчитать тактовый период для оперативной памяти DDR3 1866 МГц, вам нужно взять ее реальную частоту (933 МГц) и использовать формулу:

1/933 = 0,0010718113612004 секунды ≈ 1,07 нс.

1,07 * 10 (CL) = 10,7 нс. Следовательно, для CL10 ОЗУ будет задерживать вывод данных на 10,7 наносекунды.

PS Если последующие данные находятся по адресу, следующему за текущим адресом, то данные не задерживаются на время CL, а выводятся сразу после первого.

11 — задержка от RAS до CAS (tRCD)

Сам процесс доступа к памяти сводится к активации строки, а затем столбца с необходимыми данными. Этот процесс имеет два опорных сигнала: RAS (строб адреса строки) и CAS (строб адреса столбца).

Кроме того, величина этой задержки (tRCD) представляет собой количество тактов между включением команды «Активировать (активна)» и команды «Чтение» или «Запись».

Какое время задержки от RAS до CAS (tRCD)

Чем короче задержка между первым и вторым, тем быстрее будет финальный процесс.

10 — предварительная зарядка RAS (tRP)

После получения данных из памяти необходимо отправить специальную команду предварительной зарядки, чтобы закрыть линию памяти, из которой были считаны данные, и разрешить активацию другой строки данных. TRP — это время между запуском команды предварительной зарядки и момент, в который память может получить следующую «Активную» команду. Напоминаю, что команда «Активная» запускает цикл чтения или записи данных.

Чем короче эта задержка, тем быстрее начинается цикл чтения или записи данных с использованием команды «Активно».

Какое время предварительной зарядки RAS (tRP)

PS Время, прошедшее с момента запуска команды «Предварительная загрузка» до момента получения данных процессором, равно сумме tRP + tRCD + CL

30 — время активного цикла (tRAS) для задержки предварительной зарядки.

Если команда «Активная» уже поступила в память (и, в конечном итоге, процесс чтения или записи из определенной строки и из определенной ячейки), то следующая команда «Предварительная загрузка» (которая закрывает текущую строку памяти для перехода к другой) быть отправлено, только через это количество мер.

То есть это время, по истечении которого память может начать запись или чтение данных из другой строки (когда предыдущая операция уже была завершена).

Есть еще один параметр, который по умолчанию никогда не изменяется. Это тот, у которого очень высокий разгон памяти, для большей стабильности ее работы.

Command Rate (CR или CMD) по умолчанию имеет значение 1T — один цикл, второе значение 2T — два цикла.

Командная скорость RAM (CR

Это временной интервал между активацией определенной микросхемы памяти на панели RAM. Для большей стабильности при высоком разгоне часто устанавливается 2T, что немного снижает общую производительность. Особенно если помимо микросхем на них много кристаллов памяти.

В этой статье я постарался все более-менее доступно объяснить. Если что, всегда можно перечитать:)

Если вам понравился видеоролик и статья, поделитесь ими с друзьями в социальных сетях.

Чем больше у меня читателей и зрителей, тем больше мотивации создавать новый интересный контент:)

Также не забудьте присоединиться к группе Вконтакте и подписаться на канал YouTube.

YouTube канал Обзоры гаджетов

Вконтакте: Обзоры компьютерной техники, программ и гаджетов

Увидимся в следующих публикациях и видео. Пока-пока:)

Если вас когда-либо интересовали рабочие параметры такой важной компьютерной системы, как RAM, вы, вероятно, сталкивались с такими терминами, как тайминг RAM, более одного раза. Что это значит и какова важность этого параметра? Попробуем разобраться в этой проблеме.

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются технология ее работы (например, DDR 1, 2 или 3), ее объем, а также тактовая частота. Но помимо этих параметров довольно важным параметром, пусть даже не всегда учитываемым, являются характеристики латентности памяти или так называемых таймингов. Время ОЗУ определяется количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ для выполнения определенных этапов операций чтения и записи в ячейке памяти, и измеряется в циклах системной шины. Таким образом, чем короче время работы модуля памяти, тем меньше времени модуль будет выполнять рутинные операции, тем быстрее он будет и, следовательно, лучше его рабочие параметры. Синхронизация сильно влияет на производительность модуля RAM, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Основные из них:

• CAS Latency (CL) — Задержка CAS.
• Задержка из RAS в CAS (TRCD) — Задержка из RAS в CAS
• RAS pre-charge (TRP) — время зарядки RAS

CAS означает строб адреса столбца, а RAS означает строб адреса строки).

Производители микросхем RAM часто, хотя и не всегда, используют четвертый и пятый тайминги. Это время активности строки (TRAS), обычно приблизительно равное сумме второго тайминга (TRCD) и квадрата тайминга CL в дополнение к командной скорости.

Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Например, обозначение 5-6-6-18 означает, что микросхема памяти имеет значение задержки CAS 5 тактовых циклов, задержка RAS-CAS и предварительная зарядка RAS составляют 6 тактовых циклов, а значение Row Active Time составляет 18 тактовых циклов.

Время задержки CAS — одно из самых важных таймингов модуля RAM. Определяет, сколько времени требуется модулю памяти для выбора необходимого столбца в строке памяти после запроса от процессора на чтение ячейки.

Это время определяет количество тактов, которые проходят между удалением сигнала RAS, что означает выбор определенной строки памяти, и выдачей сигнала CAS, с помощью которого определяется конкретный столбец (ячейка) в памяти выбрано.

Этот параметр устанавливает время в тиках, которое проходит между сигналом предварительной зарядки и открытием следующей строки данных.

Это время определяет время, в течение которого активен ряд модуля памяти. Кроме того, в некоторых источниках это может называться SDRAM RAS Pulse Width, RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay.

Иногда для характеристики модуля памяти также используется синхронизация Command Rate. Определяет общую задержку при обмене командами между контроллером памяти и модулем RAM. Обычно равняется всего 1-2 измерениям.

Кроме того, для определения параметров работы ОЗУ иногда используются времена вспомогательного ОЗУ, такие как задержка RAS в RAS, время восстановления записи, время цикла строки, задержка записи для чтения и некоторые другие.

В большинстве случаев BIOS устанавливает время автоматически. Как правило, вся необходимая информация о тайминге содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти. Однако при необходимости время можно установить вручную — BIOS большинства материнских плат предлагает для этого широкие возможности. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, где пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряд других. Кроме того, пользователь может оставить настройки BIOS по умолчанию, выбрав параметр «Авто.

Пример окна настройки времени BIOS

Зачем нужны времена саморегулирования? Это может потребоваться в нескольких случаях, например, при измерениях разгона оперативной памяти. Обычно установка более низких значений времени увеличивает скорость ОЗУ. Однако в некоторых случаях также полезно устанавливать времена выше номинального значения — это улучшает стабильность памяти. Если вам сложно установить эти параметры и вы не знаете, какие значения времени лучше всего установить, вам следует доверять настройкам BIOS по умолчанию.

Времена — это числовые параметры, отражающие задержки при выполнении операций в микросхеме памяти из-за особенностей работы модуля ОЗУ. Они входят в число важных функций оперативной памяти, от которых во многом зависит ее производительность. При выборе модулей памяти нужно руководствоваться следующим правилом: чем меньше время работы памяти по той же технологии (DDR 1, 2 или 3), тем лучше скоростные параметры модуля. Номинальное время для любого модуля RAM определяется производителем модуля и сохраняется в микросхеме SPD. Однако в некоторых случаях пользователи могут изменить значение стандартных таймингов с помощью инструментов BIOS.